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更新時(shí)間：2018-04-08 05:53:34瀏覽次數(shù)：476
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D-UG660-20*-*D-UG660-20
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如何判斷飽和？
判斷飽和時(shí)應(yīng)該求出基級(jí)zui大飽和電流IBS,然后再根據(jù)實(shí)際的電路求出當(dāng)前的基級(jí)電流，如果當(dāng)前的基級(jí)電流大于基級(jí)zui大飽和電流，則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。
飽和的條件： 1.集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和；2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現(xiàn)b較c電壓高的情況。
影響飽和的因素：1.集電極電阻 越大越容易飽和；2.管子的放大倍數(shù) 放大倍數(shù)越大越容易飽和；3.基集電流的大小。
飽和后的現(xiàn)象：1.基極的電壓大于集電極的電壓；2.集電極的電壓為0.3左右，基極為0.7左右（假設(shè)e極接地）。
：張亮（工程師） 專線：
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談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。假定晶體管集-射極電路的負(fù)載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為R,則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R,隨著Ib的增大，Vce減小，當(dāng)Vce<0.6V時(shí)，B-C結(jié)即進(jìn)入正偏，Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大，就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。當(dāng)然Ib如果繼續(xù)增大，會(huì)使Vce再減小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度飽和了。以上是對(duì)NPN型硅管而言。
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